半導體封裝材料高電氣絕緣材料高壓TSDC測試系統(tǒng)的產(chǎn)品原理

TSDC是一種研究電荷存儲特性的實驗技術，用于確定初始電荷和捕獲電荷的活化能以及弛豫，該方法包括一個極化過程，其中介電樣品在高溫下暴露于高電場強度下。在此之后，試樣在外加電場的作用下迅速進行冷卻。以這種方式，電荷被分離并固定在介電材料駐極體內。然后進行升溫將駐極體內的電荷進行釋放，同時配合測量儀器進行測量，并為科研人員進行分析。通過TSDC測試方法研究了EMC對功率半導體HTRB可靠性的影響，了解到EMC在高溫、高壓條件下會發(fā)生電極化或電取向。此外，依賴于在相應的冷卻環(huán)境中維持其極化狀態(tài)，它會干擾MOS-FET半導體中反轉層的正常形成。通過TSDC試驗，我們還了解了在可靠性測試中由于應用條件而導致的材料內部極化電荷的數(shù)量也是一個重要的影響因素。

HC-TSC熱激勵去極化電流測量系統(tǒng)應用：廣泛應用于電力、絕緣、生物分子等材料領域，用于研究材料性能的一些關鍵因素，諸如分子弛豫、相轉變、玻璃化溫度等等，通過TSDC電流也可以比較直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關的介電特性。TSDC電流也可以比較直觀的研究材料的弛豫時間、活化能等相關的介電特性。